Através do Samsung Foundry Forum 2024, em San Jose, a empresa sul-coreana anunciou que lançará empilhamento de memórias HBM em CPU e GPU.
Este é um serviço de empacotamento 3D que abre o caminho para integração do HBM4 entre 2025 e 2026.
As novidades vem diretamente da Samsung, que vai utilizar a sua plataforma chamada SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology) para realizar o procedimento, que inclui três tecnologias distintas de empilhamento 3D: SAINT-S para SRAM, SAINT-L para lógica e SAINT-D para empilhamento de DRAM em cima de chips lógicos como CPUs e GPUs. O último tem sido desenvolvido desde 2022 – pelo menos seu anúncio formal foi nesta data.
Este novo método de empilhamento 3D da Samsung permite o agrupamento vertical de chips sobre os processadores, diferentemente da tecnologia 2,5D que conecta chips e GPUs HBM horizontalmente por meio de um interpositor de silício. Essa abordagem de empilhamento vertical elimina a necessidade do interpositor de silício, mas requer uma nova matriz base para a memória HBM, feita usando uma tecnologia de processo sofisticada.
Os benefícios listados pela Samsung em relação a essa nova tecnologia incluem: transferências de dados mais rápidas, sinais mais limpos, consumo de energia reduzido e latências mais baixas, mas com custos de empacotamento relativamente altos.
De acordo com a empresa, o intuito é oferecer pacotes desta tecnologia como um serviço pronto para uso, com a divisão de negócios de memória produzindo chips HBM e a unidade de fundição montando processadores para empresas sem fábrica.
“O empilhamento 3D reduz o consumo de energia e os atrasos no processamento, melhorando a qualidade dos sinais elétricos dos chips semicondutores”, disse um funcionário da Samsung Electronics.
Essa crescente demanda por chips de baixo consumo e alto desempenho, a HBM deverá representar 30% do mercado de DRAM em 2025, contra 21% em 2024, de acordo com a TrendForce, uma empresa de pesquisa taiwanesa.